牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra
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簡介：牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內進行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產量和高精度的工藝。 電極的適用溫度范圍寬，-1...
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- 產品介紹
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra可安裝多種襯底電極，能夠在很寬的溫度范圍內進行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力，該工藝模塊可提供具有高度均勻，高產量和高精度的工藝。
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電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C
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兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
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快速更換到不同尺寸的晶圓工藝
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購置成本低且易于維護
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緊密的設計，布局靈活
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實時清洗和終點監測
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra特征
- 牛津儀器的PlasmaPro 100系列具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力。該工藝模式可提供出色的均勻性，高產量和高精度的工藝。
- 通過均勻的高導通路徑連接的腔室，將反應粒子輸送到襯底 - 在維持低氣壓的同時，允許使用較高的氣體通量
- 高度可變的下電極 - 充分利用等離子體的三維特性，在適合的高度條件下，襯底厚度最大可達10mm
- 電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C），可通過液氮，液體循環制冷機或電阻絲加熱 - 可選的吹排及液體更換單元可自動進行模式切換
- 由再循環制冷機單元供給的液體控溫的電極 - 出色的襯底溫度控制
- 射頻功率加載在噴頭上，同時優化氣體輸送 - 提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝，可精確控制薄膜應力
- ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm - 確保最大200mm晶圓的工藝均勻性
- 高抽氣能力 - 提供了更寬的工藝氣壓窗口
- 晶圓壓盤與背氦制冷 - 更適合的晶片溫度控制
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra應用
- III-V族材料的刻蝕工藝
- 固體激光器InP刻蝕
- VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
- 射頻器件低損傷GaN刻蝕
- 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
- 類金剛石（DLC）沉積
- 二氧化硅和石英刻蝕
- 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
- 沉積高質量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子學、電介質層、鈍化等諸多其它用途
- 用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發生器獨立控制, 因此可根據工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應粒子
- 精準的襯底直流偏壓控制
- 精準的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點及優勢
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來實現
- 能夠利用低離子能量實現對選擇比和損傷的控制
- 獨立的射頻和電感耦合等離子體發生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度，這樣可以改善對外形的控制
- 化學和離子誘導刻蝕
- 也可以在RIE模式下運行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導通的泵送端口可提供高氣體流量，以實現快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對器件的電學損傷，以及在腔室內減少了雜質顆粒的形成
- 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時可以選擇更寬的溫度范圍
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